
受賞製品発表

| グランプリ |
三菱電機(株) |
11kWインバーター動作時の電力損失70%低減を達成したSiCパワーデバイス技術 |
| 準グランプリ |
富士通LSIソリューション(株)/富士通マイクロエレクトロニクス(株) |
超高速セキュリティプロセッサ MB86C61/60A |
| 優秀賞 |
日本テキサス・インスツルメンツ(株) |
MSP430F5XXおよび
「eZ430-RF2500-SEH」開発キット |
| ナイトライド・セミコンダクター(株) |
UV-LED「NS375L-ERLM」 |
| アナログ・デバイセズ(株) |
16ビット10MSPS PulSAR(r) A/Dコンバータ「AD7626」 |



金融クライシスの影響で、半導体市場もシュリンクしており、09年の世界マーケットは23兆円程度が想定されています。これまでの牽引車であるパソコン、携帯電話、デジタル家電などの成長が鈍化しているものの、環境/新エネルギーをキーワードに新たな市場が創出されようとしています。それらは省エネ型のパワー半導体、超低消費電力のシステムLSI、新照明革命を担う白色LEDなどであり、太陽電池やリチウムイオン電池周辺の半導体の伸びも期待を集めているのです。また、一時的に生産が後退しているとはいえ自動車産業も次の巨大アプリとして有望視されています。
こうした状況下にあって、半導体産業新聞は最新のエレクトロニクス製品の開発において最も貢献した半導体製品と設計環境/開発ツールを称えるために「半導体・オブ・ザ・イヤー」を毎年選定しています。本年で第16回を迎え、ワールドワイドに認知度が高まってきたと認識しております。
選考方法は2008年1月〜2009年3月までの間に半導体産業新聞本紙に寄せられた情報の中から記者の推薦、自由応募などを含む20点強を選出し、最終選考で数点の受賞を決め、その中からグランプリ、準グランプリ、優秀賞を選出しました。選定にあたっては、開発の斬新性や量産体制構築、社会に与えたインパクト、また将来性などを基準にしています。



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