『フォトエッチ：リソグラフィと（ドライ／ウェット）エッチング』

横軸（ファブ・装置・プロセス）
縦軸（製造プロセス・フロー）
2軸構成で特定テーマを追求する

半導体製造プロセスのキー・テクノロジ
『フォトエッチ:リソグラフィと(ドライ/ウェット)エッチング』
原点に帰ってリソグラフィとエッチングの課題を学ぶ

リソの進化と課題／材料別エッチング／フォトエッチの全用途

2007年7月5日(木) 13：00～17：20
於明神会館（東京・御茶ノ水）

多数のご参加、ありがとうございました。

　「フォトエッチ」という言葉が初耳の方、あるいは新プロセスと思われた方、昨今の半導体製造プロセスにおいては当然のことで、この言葉が使われることはほとんどありません。フォトエッチとはフォトリソグラフィとエッチングの総称で、リソグラフィの後に必ずエッチング処理を施したことから、かつてこのような表現が使われていました。今日においては両プロセスとも、開発課題が多岐にわたり複雑化しているため、それぞれ独自に論じられていることが多いようです。しかし、テクノロジーの原点回帰に立てば、どんなに技術が複雑多様化し先端化が進もうとも、すべては原点の延長線上から派生したものばかりです。
　そこで、本テクニカル倶楽部では、リソグラフィとエッチングの全体像を包括的にご理解いただくために、「フォトエッチ」の視点から両技術を分かりやすく解説いたします。リソグラフィは微細化の流れに沿って、エッチングは微細化に伴う材料とのかかわりを主軸に講演を進めていきます。
　講師には元ソニーのプロセス・エンジニアで、ナノフロント研究所／代表の佐藤淳一氏にご担当いただきます。講演内容はテクニカル倶楽部ならではの横軸と縦軸で構成しました。横軸ではリソグラフィの重要性を、露光装置とレジストの進化の流れを追うことによって、浮き彫りにしていきます。エッチングはドライとウェットの両方を、材料別にかつガス種や薬液も絡ませ、そのメカニズムについて解説を行います。そして、縦軸では、半導体製造の全プロセス・フローに従い、いつ、どこで、どのようにリソグラフィとエッチング処理が施されるのか、一つ一つ詳細な説明を加え追い掛けていきます。
　ぜひ、本セミナーにご参加いただき、難解なリソグラフィとエッチングの全体像を包括的にご理解いただくための一助としてお役立てください。

■ 講演内容

13：00～14：00

露光装置とレジストの進化の軌跡を追う
半導体プロセスにおけるリソグラフィの重要性について

　半導体製造プロセスというと、必ず、いの一番にリソグラフィが登場します。リソグラフィ・プロセスは材料を積層したり（成膜）、削ったり（エッチング）、あるいは平らにする（平坦化：CMP）など、具体的な微細加工を施すわけではありません。なのに、リソグラフィ・プロセスのみが、いつも特別扱いでもてはやされます。それはリソグラフィが、半導体製造の宿命である微細化をドライブするからです。
　ここでは半導体製造におけるリソグラフィ・プロセスの重要性を主眼に講演を行います。露光装置の代表格としてステッパが有名ですが、講演ではステッパが登場する以前の露光装置からスタートを切ります。これに露光技術とは切っても切り離せない関係にあるレジストの進化も絡ませて、リソグラフィ・プロセスに介在する課題をクローズアップしていきます。
　超最先端では液浸リソやEUVリソ（Extreme Ultraviolet lithography：超紫外線露光技術）の開発が精力的に進められていますが、なぜ、このような超最先端露光技術が必要なのか。先端露光の解説はしませんが、リソグラフィ・プロセスに介在してきた課題を浮き彫りにすることによって、その理由がご理解いただけるように努めます。

14：00～15：00

材料別に見る（ドライ／ウェット）エッチングのメカニズム
材料によって、なぜドライなのか、なぜウェットなのか

　個々のプロセス技術がどんなに難解になり複雑多様化しようとも、リソグラフィの後には必ずエッチング処理を施します。この意味において、「フォトエッチ」の言葉はあまり使われなくなりましたけれど、原理原則として、今日の最先端ファブでもフォトエッチは生き続けていることになります。講演の2番目は、ドライエッチングとウェットエッチングに焦点を当て講演を行います。
　エッチングはCVD装置やスパッタ装置などで成膜された多種多様な膜材を、リソグラフィでのパターニングに従い削り取っていきます。では、なぜ、エッチングは膜材によってドライとウェットを使い分けるのか。ここを主軸に、ドライではガスを絡めながら、ウェットでは薬液を絡めながら、そのエッチング・メカニズムを膜材ごとに探っていきます。
　また、数種の膜材がウェハ表面上に露出している時、所望の膜のみだけを削り取る「選択エッチング」についても言及します。

15：00～15：20　　コーヒーブレイク

15：20～17：20

「フォトエッチ」から追い掛ける、LSIができるまで
半導体製造におけるリソとエッチングの全用途を追う

　最後は、「フォトエッチ」を半導体製造プロセスという縦軸に置き換えて、その全用途を追い掛けて行きます。
　トランジスタ工程から配線工程に至るまで、半導体製造のための各プロセス・フローを一つ一つ丹念に追いながら、リソグラフィ・プロセスとドライ／ウェットエッチング・プロセスが、いつ、どこで、どのように処理が施されているのか。講演時間をたっぷりとって、追い掛けて行きます。

講師：佐藤淳一（ナノフロント研究所／代表）　

＊講演タイトルは都合により変更することがあります。ご了承下さい。

■ イベント概要

主催：	半導体産業新聞
コード：	G69
日時：	2007年7月5日（木） 13：00～17：20
会場：	東京・御茶ノ水　明神会館（神田明神境内）
参加費：	3万1,500円／1名（テキスト、飲み物付、消費税込）

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社　事業部
　　　FAX: 03-3834-5170　　TEL: 03-3834-2581
　　　E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp

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