『成膜』はLSI形成の原点薄膜の役割と製造プロセスを追う

『成膜』はLSI形成の原点
薄膜の役割と製造プロセスを追う

2007年10月18日(木) 13：00～17：30
於明神会館（東京・御茶ノ水）

多数のご参加、ありがとうございました。

　LSIは微細な薄膜を幾重にも積層することによって形成される。そう断言していいほど、『成膜』プロセスは半導体製造におけるキー・ファクタとして位置付けられています。
　その構造（トランジスタと多層配線層）は、よく断面形状の図によって表現されますが、各薄膜がどのような装置・材料（ガス）を使用し、いかなる膜質で、どんな役割を担うために形成されるのか。その一つ一つを改めて問われると、意外と知識が曖昧なままではありませんか？
　そこで、今回の「テクニカル倶楽部」では、この半導体製造プロセスのキー・ファクタの一つである『成膜』に焦点を当て、薄膜に関する基礎知識をより明確にしていきます。
　先端性や専門性を追求するのではなく、薄膜を形成する『成膜』プロセスの全体像を包括的にご理解いただくための手段として、ぜひ同セミナーにご参加ください。

■ 講演内容

13：00～13：40

第一部　各種『成膜』の形成法と役割を整理
トランジスタと多層配線層の断面図を元に

　私たちがこれまでよく目にしていた、トランジスタと多層配線の断面図を切り出します。
　その見馴れた断面図を元に、各薄膜の形成装置・材料（ガス）、膜名と膜質、役割などを一つ一つ解説を施しながら、全体像の知識を整理していただきます。

13：40～15：00

第二部　成膜技術と装置・材料の進化の歴史
成膜のメカニズムも踏まえて

　様々な役割を担った薄膜は、装置・材料ガスとともに進化と変化を繰り返しています。
　その進化と変化の歴史を、各成膜法におけるメカニズムとともに、解説を行っていきます。常圧CVD装置から電解めっき装置に至るまで、熱酸化膜からウルトラlow-k膜に至るまで、キーとなる装置・材料・膜質に言及します。
　超最先端を狙った成膜技術も、その意味と概要を少し紹介いたします。

15：00～15：20　　コーヒーブレイク

15：20～17：30

第三部　『成膜』工程を半導体製造プロセスで追う
トランジスタ形成から多層配線（AlとCu／low～k）形成まで

　最後はテクニカル倶楽部ならではの、「成膜」工程を半導体製造プロセスという縦軸に置き換えて、その全薄膜の形成を追い掛けていきます。
　採用する成膜装置とガス、求める膜質など、形成用途とともにLSIができるまでのプロセスの流れを、成膜を中心に追い掛けていきます。

講師：佐藤淳一
ナノフロント研究所／代表　

＊講演タイトルは都合により変更することがあります。ご了承下さい。

■ イベント概要

主催：	半導体産業新聞
コード：	G88
日時：	2007年10月18日（木） 13：00～17：30
会場：	東京・御茶ノ水　明神会館（神田明神境内）
参加費：	3万1,500円／1名（テキスト、飲み物付、消費税込）

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社　事業部
　　　FAX: 03-3834-5170　　TEL: 03-3834-2581
　　　E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp

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