13：00〜15：00
シリコン・ウェハに求められる特性と品質課題
I. シリコン・ウェハが出来るまでのプロセス
II. シリコンの特性と品質課題
基礎講座といえば、製造プロセス・フローの丹念な追い掛けが、理解の近道になります。実は、プロセス・フローを丹念に追い掛けることにより、ウェハに関わる基本用語の70％近くをカバーすることができます。基本用語のボキャブラリーが増えれば増えるほど、お客様とのコミュニケーションが円滑に進みます。原材料投入から出荷まで、基本用語の充実を意識した上で、製造プロセス・フローを解説いたします。
また、トピックス的には、�．妊丱ぅ垢旅睫�度・高精度化に伴って要求される平坦化をめぐる話題として、ウェハ周辺部のナノトポグラフィー（ナノメートルオーダーで見る、平坦表面の凹凸）関連の話題や、その他ウェハ加工に求められる話題と、��結晶関係の話題についても言及します。
（担当：清水 保弘）
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15：00〜15：20 コーヒーブレイク
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15：20〜17：40
半導体デバイスとウェハ技術への要求
I. FZ法とCZ法による結晶の違いと特徴 ―結晶面方位についても
II. 太陽電池用ウェハを含むディスクリート用ウェハ
III. CMOSに代表されるLSI用ウェハ ―エピタキシャル、アニール、SOI、歪各種ウェハなどの先端も踏まえて
基礎講座の二つ目は、デバイス特性とのかかわりに焦点を当てます。半導体デバイスの特性とウェハ特性の相関を、デバイスごとに解説を施していきます。
ウェハと一口に言っても、少なくとも20種以上に分類することができます。化合物系とSi系でウェハが違うだけ、これまでそう思っていませんでしたか？ そうではありません。同じSi系でもCMOS LSI用はCZ（Czochralski）法で、結晶面方位が（100）面の単結晶を引き上げます。一方、ディスクリート用ではFZ（Floating Zone）法で、（111）面が主に用いられています。なぜでしょう。
こうしたデバイスごとに必要とする特性と、基板となるウェハに求められる特性の相関を、分かりやすく解説します。もちろん、参加者の皆様方の、基本用語の充実を意識して報告します。
（担当：高田 清司）
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講師：高田 清司
元 信越半導体(株) 取締役
元 スーパーシリコン研究所 取締役研究所長
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講師：清水 保弘
半導体技術コンサルタント
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