13：00〜14：00
ウェハ製造プラントの全体像と仕組み
半導体ファブが装置ごとに、ベイ方式で構成されているのはよく知られていますが、ウェハ製造プラントはどのような構成で構築されているのでしょうか、その仕組みを報告します。プラント全体の配置例を元に、原材料受け入れからウェハ出荷までの流れを、工程ごとに解説いたします。
また、ウェハの口径が大きくなるに従い、製造プラントも変化するのかどうかについても、簡単に触れます（詳細は14：00以降の講演で）。
（担当：清水 保弘）
|
14：00〜15：00
実例で振り返る、大口径化がもたらす開発課題と問題点
200mm径と300mm径を比較して
ここからはメイン・テーマの「大口径化：450mm径」に焦点を絞ります。
まずは、かつて200mm径から300mm径への移行が決定した際、どのような開発課題と問題点が浮上していたのでしょうか。デバイス分野に関しては、建設ラインとチップコストの低減、デバイス設計のためのウェハ仕様変更などがありました。また、ウェハ分野に関しては、仕様変更に伴う結晶・加工・エピタキシャルの各プロセスでの開発課題が生じました。例えば、ウェハ形状において、オリフラ（ウェハ外周にフラットな面を設けた形状）から、ノッチ（ウェハ外周に切りかきを設けた形状）になったのはなぜでしょうか。
ここではユーザー要求なども絡めながら、かつて実際に起きた様々な重要ポイントを洗い出します。
（担当：高田 清司）
|
15：00〜15：20 コーヒーブレイク
|
15：20〜16：30
450mm径導入で予想される開発課題と問題点
SSi（スーパーシリコン研究所）での大口径化検討/その結果と課題から
では、450mm径ではどうでしょうか。
前テーマの200mm径から300mm径への移行時と、同様・同等の開発課題と問題が450mm径でも発生するのでしょうか。それともまったく別の、新しい課題が浮上してくるのでしょうか。
シリコンメーカー7社が共同で出資し、ポスト300mmを狙う次世代の大口径化に対応するウェハ製造技術の実証研究として、基盤技術研究促進センターの補助金を受けSSi（スーパーシリコン研究所）が誕生したのは1996年のこと。世界初の400mm径単結晶の引き上げに成功した。
ここではSSiで実施した研究事例をもとに、450mm化に必要な技術と450mm径導入で予想される開発課題と問題点について報告します。
（担当：高田 清司）
|
16：30〜17：30
450mm径導入の動き
標準化の動きなど業界動向も踏まえて
450mm径導入に向けての模索は、すでに始まっています。
講演の最後は、現時点での450mm径の検討・導入の動きを整理しておきます。
ITRS（国際半導体技術ロードマップ）、ISMI（インターナショナル・セマテック）、海外の半導体メーカー、JEITA（電子情報技術産業協会）に属する日本の半導体メーカーの動きはどうなっているのでしょうか。
現在すでに、450mm径導入に向けての検討を開始しているデバイスメーカーもあり、業界内では標準化など450mm径に向けての模索も始まっています。こうした業界動向の動きと取り組み状況について紹介します。
（担当：清水 保弘）
|
講師：高田 清司
元 信越半導体(株) 取締役
元 スーパーシリコン研究所 取締役研究所長
|
講師：清水 保弘
半導体技術コンサルタント
|
