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『半導体ウェハ』の基礎と大口径化／シリーズ2回
基礎講座と450mm化に向けての課題
2回連続受講コース
2008年4月9日(水) 13：00〜17：40
2008年4月10日(木) 13：00〜17：30
於 明神会館（東京・御茶ノ水）
多数のご参加、ありがとうございました。
第1回 2008年4月9日(水)
13：00〜15：00
シリコン・ウェハに求められる特性と品質課題
I. シリコン・ウェハが出来るまでのプロセス
II. シリコンの特性と品質課題
（担当：清水 保弘）
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15：00〜15：20 コーヒーブレイク
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15：20〜17：40
半導体デバイスとウェハ技術への要求
I. FZ法とCZ法による結晶の違いと特徴 ―結晶面方位についても
II. 太陽電池用ウェハを含むディスクリート用ウェハ
III. CMOSに代表されるLSI用ウェハ ―エピタキシャル、アニール、SOI、歪各種ウェハなどの先端も踏まえて
（担当：高田 清司）
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第2回 2008年4月10日(木)
13：00〜14：00
ウェハ製造プラントの全体像と仕組み
（担当：清水 保弘）
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14：00〜15：00
実例で振り返る、大口径化がもたらす開発課題と問題点
200mm径と300mm径を比較して
（担当：高田 清司）
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15：00〜15：20 コーヒーブレイク
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15：20〜16：30
450mm径導入で予想される開発課題と問題点
SSi（スーパーシリコン研究所）での大口径化検討/その結果と課題から
（担当：高田 清司）
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16：30〜17：30
450mm径導入の動き
標準化の動きなど業界動向も踏まえて
（担当：清水 保弘）
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講師：高田 清司
元 信越半導体(株) 取締役
元 スーパーシリコン研究所 取締役研究所長
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講師：清水 保弘
半導体技術コンサルタント
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＊講演タイトル・講演者は都合により変更することがあります。ご了承下さい。
主催：
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半導体産業新聞
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コード：
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H03
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日時：
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2008年4月9日（水） 13：00〜17：40 （第1回）
2008年4月10日（木） 13：00〜17：30 （第2回）
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会場：
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東京・御茶ノ水 明神会館（神田明神境内） |
参加費：
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5万2,500円／1名（テキスト、飲み物付、消費税込）
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○ 産業タイムズ社 事業部
FAX: 03-3834-5170 TEL: 03-3834-2581
E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp
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