『フォトエッチ』を理解する

半導体製造プロセスのキー・テクノロジー

『フォトエッチ』を理解する

リソグラフィの技術進化と（ドライ／ウェット）エッチングの課題

2008年7月10日(木) 13：00～18：00
於明神会館（東京・御茶ノ水）

多数のご参加、ありがとうございました。

　「フォトエッチ」とはフォトリソグラフィとエッチングの総称で、リソグラフィの後に必ずエッチング処理を施したことから、かつてこのような表現が使われていました。今日においては両プロセスとも、開発課題が多岐にわたり複雑化しているため、それぞれ独自に論じられていることが多いようです。しかし、原理原則として、今日の最先端ファブでも、フォトエッチは生き続けていることになります。
　そこで、本テクニカル倶楽部では、リソグラフィとエッチングの全体像を包括的にご理解いただくために、『フォトエッチ』の視点から両技術を分かりやすく解説いたします。リソグラフィは微細化の流れに沿って、エッチングは微細化に伴う材料とのかかわりを主軸に講演を進めていきます。
　講演内容は横軸と縦軸で構成しました。横軸では最先端リソグラフィの必要性を、技術の進化を追うことによって、浮き彫りにしていきます。エッチングはドライとウェットの両方を、材料別にかつガス種や薬液も絡ませ、そのメカニズムについて解説を行います。そして、縦軸では、半導体製造の全プロセス・フローに従い、いつ、どこで、どのようにリソグラフィとエッチング処理が施されるのか、詳細な説明とともに追い掛けていきます。
　ぜひ、同セミナーにご参加いただき、難解なリソグラフィ技術とエッチング技術の全体像を包括的にご理解いただくための一助としてお役立てください。

■ 講演内容

13：00～14：30

最先端リソグラフィ技術をひもとく
話題の液浸露光＆二重露光はいかにして誕生したか

　半導体製造の宿命である微細化。その微細化をドライブするリソグラフィ（露光）技術。最近では液浸露光や二重露光など、新たな光リソグラフィの延命法が注目を浴びています。
　この新たな光リソグラフィの延命法は、突如として、生まれ出てきたわけではありません。リソグラフィ技術の進化の中で、必要に迫られ、実用化を迎えています。
　ここでの講演は、露光技術の進化をひもとくことによって、なぜ液浸露光や二重露光などが実用化に至ったのか。その流れをご理解いただくことにより、リソグラフィ技術の全体像を把握することを目的とします。
　二重露光などはプロセス・フローを使って解説いたしますが、最新動向を含むトピックスなどには触れませんので、ご注意ください。

14：30～15：40

材料別に見る（ドライ／ウェット）エッチングのメカニズム
成膜材料によって、ドライとウェットを使い分ける

　講演の2番目は、ドライエッチングとウェットエッチングに焦点を当てて講演を行います。
　エッチングはCVD装置やスパッタ装置などで成膜された多種多様な膜材を、リソグラフィでのパターニングに従い削り取っていきます。では、なぜ、エッチングは膜材によってドライとウェットを使い分けるのか。ここを主軸に、ドライではガスを絡めながら、ウェットでは薬液を絡めながら、そのエッチング・メカニズムを膜材ごとに探っていきます。
　また、ドライエッチング装置の歴史についても触れ、どのような過程で現在主流の装置に至ったのかを解説します。

15：40～16：00　　コーヒーブレイク

16：00～18：00

「フォトエッチ」から追い掛ける、LSIができるまで
半導体製造におけるリソとエッチングの全用途を追う

　最後は、「フォトエッチ」を半導体製造プロセスという縦軸に置き換えて、その全用途を追い掛けて行きます。
　トランジスタ工程から配線工程に至るまで、半導体製造のための各プロセス・フローを一つ一つ丹念に追いながら、リソグラフィ・プロセスとドライ／ウェットエッチング・プロセスが、いつ、どこで、どのように処理が施されているのか。可能な範囲内でのプロセス・レシピとともに解説いたします。

講師：佐藤淳一
ナノフロント研究所　代表　

＊講演タイトルは都合により変更することがあります。ご了承下さい。

■ イベント概要

主催：	半導体産業新聞
コード：	H16
日時：	2008年7月10日（木） 13：00～18：00
会場：	東京・御茶ノ水　明神会館（神田明神境内）
参加費：	3万1,500円／1名（テキスト、飲み物付、消費税込）

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社　事業部
　　　FAX: 03-5835-5494　　TEL: 03-5835-5894
　　　E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp

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