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半導体『洗浄・乾燥』
その役割と製造プロセスでの活用


2008年9月24日(水) 13:00〜17:30
  於 明神会館(東京・御茶ノ水)


多数のご参加、ありがとうございました。

 半導体製造プロセスにおける『洗浄・乾燥』工程。数あるウェハ処理工程の中で、洗浄・乾燥ほど繰り返し多用されているプロセスはありません。前洗浄・後洗浄も合わせると、半導体製造プロセスは洗浄・乾燥に始まり、洗浄・乾燥に終わると表現しても過言ではありません。
 ところが、これほどの最重要プロセスでありながら、長い間、他のプロセス技術の一環として処理されてきた面があり、装置も内製化が多く、全体的な傾向が見えにくいのが実情です。
 そこで「テクニカル倶楽部」では、この洗浄・乾燥技術に焦点を当て、LSIと洗浄のかかわり、ウェハ汚染、洗浄メカニズム、装置進化の歴史などを盛り込み、洗浄・乾燥技術の原点から現状を見直していきます。
 先端性や専門性を追求するのではなく、『洗浄・乾燥』の全体像を包括的にご理解いただくための手段として、ぜひ同倶楽部にご参加ください。

■ 講演内容

13:00〜13:30

第一部
半導体ファブにおける洗浄(純水・薬液供給/排水)ファシリティ


 洗浄ファシリティがどのように構築されているかを見ます。
 半導体工場(ファブ)全体を俯瞰的に見た時、純水や薬液がどのように配備され、かつ装置にどのように供給されるかを解説します。また、排水処理についても触れます。

13:30〜14:30

第二部
洗浄・乾燥プロセスの実例とメカニズム


 ウェハ上の汚染とは何か。
 LSIと洗浄・乾燥のかかわりを、いくつかの実例を示しながら解説します。乾燥におけるウォータマーク問題など、乾燥プロセスの重要性にも言及します。
 Cu-CMPでの後洗浄やCu/low-k膜の洗浄時の課題などについても簡単に紹介します。

14:30〜14:40  ブレイク
14:40〜15:30

第三部
洗浄装置の進化の歴史


 内製化主体で動いてきた洗浄装置、その進化の歴史は明確ではありません。ビジネス化が進んだのは、ウェハの大口径化に伴い、ファブのライン化が推進されたことにあります。
 洗浄装置の進化の歴史をバッチ式と枚葉式の違い交え、解説します。半導体ファブの進化も併せて感じ取っていただければ幸いです。

15:30〜15:45  コーヒーブレイク
15:45〜17:30

第四部
半導体製造プロセスと洗浄・乾燥のかかわり


 「洗浄・乾燥」工程を、半導体製造プロセスという縦軸に置き換えて解説します。
 トランジスタ工程では主要装置が出揃う素子分離とウェル形成を中心に、配線工程ではCu/low-kを中心に、汚染発生の要因と対応洗浄方法を絡ませて解説します。


講師:佐藤 淳一
ナノフロント研究所/代表
 


*講演タイトルは都合により変更することがあります。ご了承下さい。

テクニカル倶楽部とは

■ イベント概要

主催:
半導体産業新聞
コード:
H26
日時:
2008年9月24日(水) 13:00〜17:30
会場:
東京・御茶ノ水 明神会館(神田明神境内)
参加費:
3万1,500円/1名(テキスト、飲み物付、消費税込)

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社 事業部
   FAX: 03-5835-5494  TEL: 03-5835-5894
   E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp





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