10：00〜11：00
化合物半導体の世界
化合物半導体はシリコン半導体となにが、どう違う
まずは化合物半導体の世界を理解していただくために、四つの視点から解説します。
一つはシリコンと比較した材料の差異で、移動度、熱伝導度、破壊強度の視点から見てみます。二つ目は化合物半導体の特徴で、高速動作や高耐圧などに代表される長所とコストおよび結晶品質などに代表される短所を明確にします。三つ目のアプリケーション展開では、高周波デバイスと光デバイスの世界を提示します。そして最後に、シリコン半導体との棲み分けを探ります。
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11：00〜12：00
化合物半導体の種類とデバイス構造
話題のGaN、SiC、LEDにも言及
ここでは高周波デバイスと光デバイスを取り上げます。
高周波デバイスはFET、HBT、HEMT、GaN、SiCに分類し、それぞれの構造と原理、そして応用例について解説します。
一方、光デバイスは、発光と受光に二分して解説を行います。発光はLEDとLDを取り上げ、LDに関してはFP、DFB、VCSELについて、それぞれの構造、原理と応用例について解説します。
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12：00〜13：00 ランチ＋名刺交換会
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13：00〜15：00
化合物半導体製造のための要素プロセスと装置・材料技術
主要9プロセスと三つの材料技術を解説
以下に示す主要9プロセスと、各プロセス処理装置について解説します。
(1)結晶成長＝LEC、VB、MBE、MOCVD (2)リソグラフィ＝レジスト塗布、露光、現像 (3)レジスト除去＝ウェット除去、ドライ除去 (4)成膜＝スパッタ、蒸着、CVD、めっき（電解、無電解） (5)エッチング＝ウェットエッチング、ドライエッチング（プラズマエッチング、RIE） (6)イオン注入＝イオン注入器 (7)基板薄板化＝基板研削、ポリッシュ (8)チップ分離＝ダイシング、スクライブ (9)検査＝電気特性評価、測長、膜厚測定
材料に関しては、(1)レジスト、(2)ウェットエッチャント、(3)金属材料について、解説を行います。
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15：00〜15：20 コーヒーブレイク
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15：20〜17：20
化合物半導体の製造プロセス・フローを追う
高周波デバイスの製造プロセス・フローを例に
前テーマで、化合物半導体製造のために必要な主要9プロセスと各プロセス処理装置、および材料について解説を行いました。
講演の最後は、これらのプロセス・装置・材料を駆使し、高周波デバイスができるまでの製造プロセス・フローを、以下の流れに従い、丹念に追い掛けていきます。
[エピ成長]−[素子分離]−[ソース・ドレイン形成]−[ゲート形成]−[保護膜形成]−[配線形成]−[裏面処理]−[チップ分離]−[パッケージング]−[検査]
なお、光デバイスに関しては、結晶成長がポイントになり、また電極形成や保護膜形成は高周波デバイスのプロセス技術と共通する点も多いことから、工程フローの要点のみ解説します。
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講師：石川 高英
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 開発部 部長
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