デバイス解体新書　専門家でない方々のための『パワーデバイス』入門

専門家でない方々のための
『パワーデバイス』入門
基礎知識の習得と製造プロセス・フローを核に

2009年4月22日(水) 09：30～18：00
於明神会館（東京・御茶ノ水）

多数のご参加、ありがとうございました。

　パワーデバイスが脚光を浴びています。
　頻繁な電力変換には必須のデバイスとして、そのアプリケーション分野を従来以上に拡大しつつあります。上は発電所からの直流伝送、自動車・電鉄分野で、家庭内においては照明、情報機器、さらには冷蔵庫や洗濯機のようなシロモノ家電にも搭載が始まろうとしています。それだけはありません。話題の太陽光発電や燃料電池、風力発電など、地球環境対策とも密接にリンクしたデバイスとして、さらなる市場拡大が期待されています。
　当然、ビジネス面ではここに活路を見出したいところですが、パワーデバイスの全体像がなかなか見えにくく、参入の切っ掛けがつかめないのが実情ではないでしょうか。
　そこで半導体産業新聞では、ご専門の方々には不向きですが、営業・経営・管理職の方々など、「専門家でない方々のための『パワーデバイス』入門」を企画しました。メイン講師には三菱電機(株)パワーデバイス製作所の山本秀和氏を招聘。パワーデバイスの位置付け・役割からデバイス構造および製造プロセス・フローに至るまで、パワーデバイスの全体像を分かりやすく解説いたします。新たなビジネス・チャンスを生かすための基礎知識として、ぜひ同セミナーにご参加ください。

■ 講演内容

第1部　パワーデバイスの基礎知識とマーケット動向

09：30～11：00（90分）

「パワーデバイス」とは、どんな半導体？
位置付けとその役割を明確に

　情報を記憶するのがメモリデバイス、演算処理を行うのがロジックデバイスです。
　では、「パワーデバイスとは、どんな半導体？」
　講演はここからスタートを切ります。
　パワーデバイスの位置付けを明確にするため、(1)交流と直流について、(2)コンバータ／インバータによる相互変換について、そして(3)パワーデバイスの種類などについての解説を行った後、太陽電池やハイブリッドカーなどへの幅広い用途、および次世代パワーデバイス用として注目されているSiCに関して解説し、パワーデバイスの役割を十分に理解していただきます。

三菱電機(株)　パワーデバイス製作所

山本秀和　（やまもとひでかず）

11：00～12：00（60分）

パワーデバイス主要プレーヤーの各社動向＆マーケット動向
中・高耐圧IGBTを中心とした用途および各社の戦略まで

　省エネの観点から存在感を高めている太陽電池、風力発電、ハイブリッド自動車、インバータ搭載のシロモノ家電。その陰の主役となっているのが「パワーデバイス」です。パワーデバイスは携帯電話向けなどの低耐圧品、ハイブリッド自動車、風力発電や太陽光発電システム向けの中耐圧品および電鉄用途向けの高耐圧品まで幅広く、裾野は広い。
　そこで半導体産業新聞のパワーデバイス特別取材班では、まず中・高耐圧を中心としたIGBT・IPMから取材活動を開始しています。今回はそこから得た各社動向、マーケット動向を俯瞰的に見てみます。

半導体産業新聞　「パワーデバイス特別取材班」

高澤里美　（たかさわさとみ）

12：00～13：00　　ランチ＋名刺交換会

第2部　パワーデバイスのトランジスタ構造

13：00～14：20（80分）

CMOSロジックに見る製造プロセス・フロー
トランジスタ構造と製造プロセス・フローを中心に

　パワーデバイスのトランジスタ構造とその製造プロセス・フローをご理解いただくために、まずはCMOSロジックのトランジスタ構造とその製造プロセス・フローを解説いたします。これをベースに、今回のセミナーのメインテーマに移行していきます。

半導体産業新聞

松下晋司　（まつしたしんじ）

14：20～14：40　　コーヒーブレイク

14：40～15：40（60分）

CMOSロジックと比較した
パワーデバイスのトランジスタ構造
低耐圧対応の横型IGBTと高耐圧対応の縦型IGBT

　午前の部で、パワーデバイスの位置付けと役割を説明しました。
　では、どのような構造で数千Vもの電圧に耐えるデバイスを実現しているのでしょうか。
　CMOSロジックのトランジスタ構造と比較しながら、パワーデバイスならではの構造について解説します。

三菱電機(株)　パワーデバイス製作所

山本秀和　（やまもとひでかず）

15：40～15：50　　ブレイク

第3部　パワーデバイスの製造プロセスと必要な装置・材料技術

15：50～18：00（120分）

CMOSロジックと比較した
パワーデバイスの製造プロセス・フローと必要な装置・材料
採用ウェハからトランジスタ形成、裏面工程に至るまで

　パワーデバイス製造では、通常のCZウェハではなく、FZウェハを使用します。
　なぜでしょう？
　ここではFZウェハを使用する理由から、デバイス製造プロセス、そしてパワーデバイスならではの裏面工程に至るまで、その製造プロセス・フローと必要な装置・材料について解説を行います。

三菱電機(株)　パワーデバイス製作所

山本秀和　（やまもとひでかず）

＊講演タイトル、講演者は都合により変更することがあります。ご了承下さい。

■ イベント概要

主催：	半導体産業新聞
コード：	H49
日時：	2009年4月22日（水） 09：30～18：00
会場：	東京・御茶ノ水　明神会館（神田明神境内）
参加費：	3万7,800円／1名（テキスト、食事・飲み物付、消費税込）

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社　事業部
　　　FAX: 03-5835-5494　　TEL: 03-5835-5894
　　　E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp

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