『三次元積層』とTSV技術 TSV（Through Silicon Via）がLSI構造を変える

半導体の進化はパッケージが担う！

『三次元積層』とTSV技術

TSV（Through Silicon Via）がLSI構造を変える

2009年11月5日(木) 10：00～17：20
於明神会館（東京・御茶ノ水）

多数のご参加、ありがとうございました。

　半導体ビジネスの活性化には様々な要因があります。その一つに、新材料の導入があります。材料が変われば、プロセスが変わり、そこに新たな処理装置が必要になってくるからです。その新材料がSi。ウェハ表層のみを微細加工する状来のSi特性ではなく、ウェハそのものに貫通孔を開けてバンプで幾重にも積層する、TSV（Through Silicon Via）技術による三次元積層の実用化です。微細加工技術のハードルが高くなる一方の昨今、半導体産業のビジネス活性化と進化の方向性は、パッケージが担い始めたといっても過言ではありません。
　そこで、半導体産業新聞では、ビッグ・ビジネスが期待できる新パッケージ構造に焦点を当てた、「『三次元積層』とTSV技術」を企画しました。新プロセス・新処理装置のニーズとともに、加工速度や加工精度など、これまでにない処理特性が求められています。すでに数多くの前処理装置メーカーも、同分野への参入に動き出しました。ぜひ、同セミナーにご参加いただき、ビジネス・チャンス獲得のための要素情報取得の手段としてお役立てください。

■ 講演内容

10：00～11：00

総論
ここまで来た、三次元積層LSI
パッケージ構造とTSV技術の最新動向

(株)ルネサステクノロジ　生産本部技術開発統括部主管技師長

島本晴夫　（しまもとはるお）

11：00～12：00

プロセス技術
TSV（Through Silicon Via）の基本プロセス・フローを追って
必要な装置・材料技術も踏まえながら

(株)ルネサステクノロジ　生産本部技術開発統括部技術企画部主管技師

浅井孝祐　（あさいこうゆう）

12：00～13：00　　ランチ＋名刺交換会

13：00～14：00

製造装置技術 I
Deep Siエッチング装置技術
（前工程とは異なる）TSVプロセスが求めるエッチング特性と装置技術

パナソニックファクトリーソリューションズ(株)　開発センタープラズマ加工開発グループプラズマ商品開発チーム主任技師

廣島満　（ひろしまみつる）

14：00～15：00

製造装置技術 II
Temporary Bond Materials and Equipment for 3D／TSV Integration
三次元実装向け仮貼り合せ材料と装置技術の紹介

ズース・マイクロテック(株)　代表取締役社長

Raymond Lau　（レイモンド・ラウ）

15：00～15：20　　コーヒーブレイク

15：20～16：20

次世代技術
三次元積層技術のさらなる進化に向けて
Wafer on Wafer技術も通過点として

技術研究組合　超先端電子技術開発機構三次元集積化技術研究部部長

嘉田守宏　（かだもりひろ）

16：20～17：20

実用化と製品展開
DRAMに見るTSV技術の応用事例
Cu-TSVによる積層8G DRAM

エルピーダメモリ(株)　取締役執行役員 CTO

安達隆郎　（あだちたかお）

＊講演タイトル、講演者は都合により変更する事がありますので、ご了承ください。

■ イベント概要

主催：	半導体産業新聞
コード：	H77
日時：	2009年11月5日（木） 10：00～17：20
会場：	東京・御茶ノ水　明神会館（神田明神境内）
参加費：	4万2,000円／1名（テキスト、食事・飲み物、消費税込）

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社　事業部
　　　FAX: 03-5835-5494　　TEL: 03-5835-5894
　　　E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp

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