デバイス解体新書　マーケット動向から探る『化合物半導体』のすべて

マーケット動向から探る
『化合物半導体』のすべて
製造プロセス＆フローもしっかり押さえて！

2009年11月16日(月) 10：00～17：20
於明神会館（東京・御茶ノ水）

多数のご参加、ありがとうございました。

　高速動作、高耐圧、発光など、シリコン系半導体では得られない特性を生かし、独自のアプリケーション分野と市場を切り拓き続ける化合物半導体。しかし、実ビジネスにおいて、基礎知識や基本用語がなかなか有機的に結び付かず、悩まれている方も多いのではないでしょうか。
　そこで、半導体産業新聞では、化合物半導体関連の基本をある程度ご存知の方々を対象に、「化合物半導体のすべて」を企画しました。今回は午前中いっぱいを費やし、アプリケーション分野とデバイスのマーケット動向を探ります。午後は各プロセス処理と装置・材料技術、そして製造プロセス・フローの解説を行います。既存の知識と用語を整理し、ビジネスを円滑に進めるための一手段として、ぜひ同セミナーにご参加ください。

■ 講演内容

10：00～12：30（150分）／マーケット動向から探る

マーケットの動きから探る化合物半導体
デバイスの特徴とアプリ動向を視点に

　化合物半導体の特徴に基づいて分類した後、それぞれのデバイスが採用されているアプリケーションについて、ワイヤレス通信、レーダ、光ファイバ通信、記録用途、照明用などに分けて解説します。これら各分野で使用される化合物半導体の種類とデバイス構造を紹介することにより、全体像を理解していただきます。
　その上で、各アプリとデバイスの動向を、ビジネスの視点から分析することにより、今後の方向性を探っていきます。また、材料面からはGaAs、InPに加え、新材料のGaNなどについても解説とともに、ビジネス面からの考察を行います。
　化合物半導体の世界とマーケット動向の両方をご理解いただくのが、ここでの狙いです。

12：30～13：30　　ランチ＋名刺交換会

13：30～15：30（120分）／要素プロセスと装置・材料

化合物半導体製造のための要素プロセスと装置・材料技術
主要9プロセスと三つの材料技術を解説

　以下に示す主要9プロセスと、各プロセス処理装置について解説します。
　(1)結晶成長　LEC、VB、MBE、MOCVD ／ (2)リソグラフィ　レジスト塗布、露光、現像／ (3)レジスト除去　ウェット除去、ドライ除去／ (4)成膜　スパッタ、蒸着、CVD、めっき（電解、無電解）／ (5)エッチング　ウェットエッチング、ドライエッチング（プラズマエッチング、RIE）／ (6)イオン注入　イオン注入器／ (7)基板薄板化　基板研削、ポリッシュ／ (8)チップ分離　ダイシング、スクライブ／ (9)検査　電気特性評価、測長、膜厚測定

　材料に関しては、(1)レジスト、(2)ウェットエッチャント、(3)金属材料について、解説を行います。

15：30～15：50　　コーヒーブレイク

15：50～17：20（90分）／製造プロセス・フロー

化合物半導体の製造プロセス・フローを追う
大容量・高速通信用途を狙う高周波デバイスを例に

　前テーマで、化合物半導体製造のために必要な主要9プロセスと各プロセス処理装置、および材料について解説を行いました。　講演の最後は、これらのプロセス・装置・材料を駆使し、高周波デバイスができるまでの製造プロセス・フローを、以下の流れに従い、丹念に追い掛けていきます。　対象とするデバイスは、大容量・高速通信用途を狙う高周波デバイスです。

エピ成長→素子分離→ソース・ドレイン形成→ゲート形成→保護膜形成→配線形成→裏面処理→チップ分離→パッケージング→検査

講師：石川高英　（いしかわたかひで）
三菱電機(株)　高周波光デバイス製作所開発部部長

＊講演タイトルは都合により変更することがあります。ご了承下さい。

■ イベント概要

主催：	半導体産業新聞
コード：	H79
日時：	2009年11月16日（月） 10：00～17：20
会場：	東京・御茶ノ水　明神会館（神田明神境内）
参加費：	3万7,800円／1名（テキスト、食事・飲み物付、消費税込）

■ お問い合わせ先

○ 産業タイムズ社　事業部
　　　FAX: 03-5835-5494　　TEL: 03-5835-5894
　　　E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp

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