第3部 パワーチップ製造プロセスフローと生産技術のときほぐし
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09：30〜10：30
CMOS-LSIの製造プロセスフロー
トランジスタ製造プロセスフローを中心に
半導体産業新聞
松下 晋司 （まつした しんじ）
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10：30〜12：30
パワーチップ製造プロセスフローと材料技術
千葉工業大学 電気電子情報工学科 （元 三菱電機(株)パワーデバイス製作所）
山本 秀和 （やまもと ひでかず）
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12：30〜13：20 ランチ＋名刺交換会
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第4部 テスト＆モジュール製造プロセスフローと生産技術のときほぐし
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13：20〜13：50
パワーデバイスのテスト技術
千葉工業大学 電気電子情報工学科 （元 三菱電機(株)パワーデバイス製作所）
山本 秀和 （やまもと ひでかず）
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13：50〜15：20
パワーモジュール製造プロセスフローと材料技術
千葉工業大学 電気電子情報工学科 （元 三菱電機(株)パワーデバイス製作所）
山本 秀和 （やまもと ひでかず）
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15：20〜15：50
パワーデバイス製造プロセスのまとめ
CMOS-LSIと比較したパワーデバイス製造プロセスの違いと共通技術
千葉工業大学 電気電子情報工学科 （元 三菱電機(株)パワーデバイス製作所）
山本 秀和 （やまもと ひでかず）
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15：50〜16：10 コーヒーブレイク
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第5部 新材料SiCとGaN入門
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16：10〜17：40
パワーデバイスの最新技術動向と今後の展開
シリコンデバイスと新材料SiC・GaNパワーデバイス
独立行政法人 産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
岩室 憲幸 （いわむろ のりゆき）
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