第1部 新材料の特性とウェハ製造をときほぐす
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09：00〜10：30 （90分）
ワイドギャップ半導体の意味とSiC材料の特性＆ウェハ製造
Part. I （45分）
最近注目されている、ワイドギャップ半導体とはどういうもの？
〜エネルギーバンドギャップのイメージと最大の課題：結晶欠陥〜
・パワーデバイスが、シリコンから化合物半導体の世界に進出
・エネルギーバンドギャップは、どうイメージするか
・では、ワイドギャップ半導体を、どうイメージするか
・最大の課題：結晶欠陥について 〜シリコンは無欠陥、SiCは結晶中欠陥だらけ〜
Part. II （45分）
SiCウェハ製造・加工プロセスと必要な装置・材料・計測器
〜エピ成長法とバルク成長法について〜
・Siウェハ製造・加工プロセスと装置・材料 〜CZ法、FZ法、エピ、でもパワーデバイスに使いにくいのはなぜ〜
・SiCウェハ製造・加工プロセスと装置・材料・計測器 〜Siとは違うSiCウェハ製造、参入ウェハメーカーの動向とビジネスチャンスを探る〜
・エピタキシャル成長法の開発が盛ん 〜エピ法が量産の本命になれるのか〜
元 信越半導体(株) 取締役／元 スーパーシリコン研究所 取締役研究所長
高田 清司 （たかだ きよし）
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10：30〜12：00 （90分）
GaN材料の特性＆ウェハ製造／サファイア基板の紹介
Part. I （60分）
GaNウェハ製造・加工プロセスと必要な装置・材料
〜エピ成長法とバルク成長法について〜
・GaNウェハ製造・加工プロセスと必要な装置・材料 〜Siとは違うGaNウェハ製造、参入ウェハメーカーの動向とビジネスチャンスを探る〜
Part. II （30分）
土台としてのサファイア基板とは
〜歴史から様々な結晶成長法、そして将来も予測〜
・サファイアの歴史紹介 〜SOS（Silicon on Sapphire）とSOI（Silicon on Insulator）〜
・サファイア基板の製造法と将来展望 〜サファイア基板の適用はどこまで広がるのか〜
千葉工業大学 電気電子情報工学科 教授 （元 三菱電機(株) ULSI技術開発センター／パワーデバイス製作所 パワー・BiCMOSデバイス開発部長）
山本 秀和 （やまもと ひでかず）
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12：00〜12：50 ランチ＋名刺交換会
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第2部 新材料（SiCとGaN）、デバイスへの応用展開をときほぐす
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12：50〜13：20 （30分）
SiCとGaNの用途と市場規模
〜すべてがSiCとGaNに置き換わる？ いいえ、違います〜
13：20〜15：30 （130分）
SiCをパワーデバイス用途に展開
Part. I （30分）
SiCパワーデバイスのトランジスタ構造
〜Siパワーチップと比較して何がどう違う〜
・LSIは横型構造、パワーチップは縦型構造 〜ロジックLSIは弱電流で情報を輸送、パワーチップは大電流でスイッチング作用〜
・SiCのメリット 〜小型化、高温動作、高速駆動〜
Part. II （60分）
SiCパワーチップ（MOSFET）の製造プロセスフロー
〜Siパワーチップの製造プロセスフローと比較して、何がどう違う〜
・Siパワーチップの製造プロセスフローと使用装置 〜トレンチ型IGBTを例に〜
・SiCパワーチップの製造プロセスフローと使用装置
・SiCパワーチップならではの独特のプロセス（ビジネスチャンス紹介） 〜高温イオン注入／高温アニール／エピタキシャル成長〜
Part. III （20分）
SiCパワーデバイスが求めるニーズ（高温仕様に伴うビジネスチャンスを探る）
〜パッケージ構造と材料への要求〜
Part. IV （20分）
SiCパワー参入デバイスメーカーの動向と発表デバイスを読む
〜参入各社の戦略と方向性／発表デバイスを深読み〜
千葉工業大学 電気電子情報工学科 教授 （元 三菱電機(株) ULSI技術開発センター／パワーデバイス製作所 パワー・BiCMOSデバイス開発部長）
山本 秀和 （やまもと ひでかず）
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15：30〜15：50 コーヒーブレイク
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15：50〜18：00 （130分）
GaNをパワーデバイスおよび高周波電力増幅トランジスタ用途に展開
Part. I （20分）
GaNのダイオードとしての比較
〜青色LEDとGaNパワーダイオード〜
〜GaNショットキーダイオード特性の現状と課題点〜
Part. II （60分）
GaNのトランジスタとしての比較
〜高周波電力増幅用途とパワースイッチング用途〜
・高周波は高速かつ大電力、パワースイッチングは低損失・スイッチング動作とコスト 〜この二つの違いでトランジスタ構造はどう違うかまた、SiCと比較して何が特長か〜
・ノーマリオフとノーマリオンって、どういうこと？ 〜ノーマリオフ動作を達成しやすい縦型構造と難しい横型構造〜
・GaNデバイスの実用化を妨げる要因とはなにか 〜材料の完成度は？安定性と信頼性は？〜
Part. III （20分）
GaNパワーチップの製造プロセスフローと必要な装置
〜SiやSiCパワーチップの製造プロセスフローと比較して、何がどう違う〜
Part. IV （30分）
GaNパワー参入デバイスメーカーの動向と発表デバイスを読む
〜参入各社の戦略と方向性／発表デバイスを深読み〜
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 教授
橋詰 保 （はしづめ たもつ）
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