|
 |
|
ビジネス人のための
『パワーデバイス』入門＆ときほぐし
理論や原理の理解よりも、円滑なビジネス・トークのために
第2日目 モジュール化と今後の進化の方向性を探る
2011年6月2日(木) 09：30〜17：40
於 明神会館（東京・御茶ノ水）
多数のご参加、ありがとうございました。
09：30〜12：00
第4部 パワー半導体をモジュール化「パワーデバイス」へ
|
昨日6月1日（水）／「第3部パワー半導体の製造プロセスと必要な装置・材料」の講演内容を引き継ぎ（前工程から後工程へ）
ダイシング工程 → 組立工程 → モジュール完成品 → モジュール信頼性（テスティング）
|
第5部 パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
|
1. 「Si MOS FET構造のパワー半導体」が得意とするアプリ分野と市場動向
2. 「Si IGBT構造のパワー半導体」が得意とするアプリ分野と市場動向
3. 上記二つのSi系パワー半導体の限界
|
13：00〜17：40 （途中、コーヒーブレイクなどの休憩を含みます）
第6部 Si系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性
|
1. MOS FET構造の限界と今後の進化の方向性
より高耐圧で低抵抗なデバイス構造に進化 ただし、弱点もあります
2. IGBT構造の限界と今後の進化の方向性
(1) 薄ウェハ化からのアプローチ
薄ウェハ化で低抵抗化を狙う。現在の70μm厚からどこまで薄く？
(2) デバイス新構造からのアプローチ
エレベータ用途など：高性能化を狙って / IHクッキング用途など：低コスト化を狙って
|
第7部 新材料（SiCとGaN）登場と今後の展望
|
1. Si系パワー半導体の限界と新材料登場の背景
なぜSiCとGaNに注目が集まるのか
2. 高まる期待、でも製品化が遅れているのは「なぜ」
3. SiC／GaN採用で誕生するパワー半導体とは
MOS FETそれともIGBT
4. Si系パワー半導体と比較した、製造プロセス／装置・材料の違い
SiC／GaNで特有のプロセス／装置・材料
(1) ウェハについて (2) パッケージ構造・材料について (3) 信頼性（テスティング）について
5. 参入各社の発表と開発・実用化の動向
|
＊講演タイトルは都合により変更する事がありますので、ご了承ください。
講師：岩室 憲幸 （いわむろ のりゆき）
独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター（ADPERC） 研究チーム長
1984年早稲田大学理工学部電気工学科卒後、富士電機(株)入社。1988年よりIGBTをはじめパワーデバイスの研究開発に従事。UシリーズIGBT開発、製品化に従事。2009年(独)産業技術総合研究所へ出向。SiCデバイスの開発に従事、現在に至る。
|
主催：
|
半導体産業新聞
|
コード：
|
J19
|
日時：
|
2011年6月2日（木） 09：30〜17：40
|
会場：
|
東京・御茶ノ水 明神会館（神田明神境内） |
参加費：
|
2万9,400円／1名（テキスト、食事・飲物付、消費税込み）
|
○ 産業タイムズ社 事業部
FAX: 03-5835-5494 TEL: 03-5835-5894
E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp
|
