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ビジネス人のための
『パワーデバイス』入門＆ときほぐし
理論や原理の理解よりも、円滑なビジネス・トークのために
両日受講コース
2011年6月1日(水) 09：30〜17：40
2011年6月2日(木) 09：30〜17：40
於 明神会館（東京・御茶ノ水）
多数のご参加、ありがとうございました。
第1日目 「パワー半導体」の理解と製造プロセス＆装置・材料
09：30〜12：00
第1部 ようこそ「パワー半導体」の世界へ
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1. まずは「パワー半導体」の位置付けから
パワー半導体はメモリやロジックなど、誰もが周知のLSIとどこが、なにが、どう違うのか
2. 周知のLSIとの大きな違いは“スイッチ”機能です
メモリは記憶処理、ロジックは演算処理、パワー半導体はスイッチング処理
3. 電力制御になぜ“スイッチ”なのでしょう
電力は交流で送電されてきます。だから…
4. 直流と交流の切り替えに“スイッチ”が必要になります
直流 → 交流への切り替えが「コンバータ」、直流 ← 交流への切り替えが「インバータ」
5. どうして「コンバータ」と「インバータ」が必要なのでしょう
電力で動くシステム機器はすべて、それぞれ固有の最適化を求めるからです
6. その“スイッチ”機能に必要な特性とは
(1) 抵抗が小さいこと(2) 簡単に「オン」、「オフ」ができること(3)「オン」、「オフ」が高速で行えること(4) 壊れないこと
7. このような特性を持つ「パワー半導体」は、どのようなところで使われているのでしょう
ハイブリッド車、電気自動車、鉄道、工場、パソコンやゲーム機なども含む家電製品等など、具体的な適応例を見てみましょう
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13：00〜17：40 （途中、コーヒーブレイクなどの休憩を含みます）
第2部「パワー半導体」の誕生と進化のあゆみ
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トランジスタ誕生 → GE（ゲルマニウム）からSi（シリコン）へ → バイポーラ・トランジスタ → Si MOS FET → IGBT → SiC ＆ GaNへ
(1) 半導体の歴史やデバイス構造のうんちくを述べるものではありません。
(2) アプリーケーションを主軸に、なぜ「パワー半導体」が誕生し、アプリの機能の変遷でパワー半導体がどのように分岐・進化していったか。
(3) ポイントは以下の三つの「パワー半導体」の違いを覚えてください。それが明日6月2日（木）の講演に活きてきます。
1. 「Si MOS FET構造のパワー半導体」
2. 「Si IGBT構造のパワー半導体」
3. 「新材料（SiCもしくはGaN）採用のパワー半導体」
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第3部「パワー半導体」の製造プロセスと必要な装置・材料
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1. ウェハ製造プロセス
2. トランジスタ製造プロセスと必要な装置・材料
メモリやロジックなどのLSI製造にはない、パワーデバイス特有のプロセスも踏まえて
3. デバイス信頼性（テスティング）
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第2日目 モジュール化と今後の進化の方向性を探る
09：30〜12：00
第4部 パワー半導体をモジュール化「パワーデバイス」へ
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昨日6月1日（水）／「第3部パワー半導体の製造プロセスと必要な装置・材料」の講演内容を引き継ぎ（前工程から後工程へ）
ダイシング工程 → 組立工程 → モジュール完成品 → モジュール信頼性（テスティング）
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第5部 パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
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1. 「Si MOS FET構造のパワー半導体」が得意とするアプリ分野と市場動向
2. 「Si IGBT構造のパワー半導体」が得意とするアプリ分野と市場動向
3. 上記二つのSi系パワー半導体の限界
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13：00〜17：40 （途中、コーヒーブレイクなどの休憩を含みます）
第6部 Si系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性
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1. MOS FET構造の限界と今後の進化の方向性
より高耐圧で低抵抗なデバイス構造に進化 ただし、弱点もあります
2. IGBT構造の限界と今後の進化の方向性
(1) 薄ウェハ化からのアプローチ
薄ウェハ化で低抵抗化を狙う。現在の70μm厚からどこまで薄く？
(2) デバイス新構造からのアプローチ
エレベータ用途など：高性能化を狙って / IHクッキング用途など：低コスト化を狙って
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第7部 新材料（SiCとGaN）登場と今後の展望
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1. Si系パワー半導体の限界と新材料登場の背景
なぜSiCとGaNに注目が集まるのか
2. 高まる期待、でも製品化が遅れているのは「なぜ」
3. SiC／GaN採用で誕生するパワー半導体とは
MOS FETそれともIGBT
4. Si系パワー半導体と比較した、製造プロセス／装置・材料の違い
SiC／GaNで特有のプロセス／装置・材料
(1) ウェハについて (2) パッケージ構造・材料について (3) 信頼性（テスティング）について
5. 参入各社の発表と開発・実用化の動向
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＊講演タイトルは都合により変更する事がありますので、ご了承ください。
講師：岩室 憲幸 （いわむろ のりゆき）
独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター（ADPERC） 研究チーム長
1984年早稲田大学理工学部電気工学科卒後、富士電機(株)入社。1988年よりIGBTをはじめパワーデバイスの研究開発に従事。UシリーズIGBT開発、製品化に従事。2009年(独)産業技術総合研究所へ出向。SiCデバイスの開発に従事、現在に至る。
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主催：
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半導体産業新聞
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コード：
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J20
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日時：
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2011年6月1日（水） 09：30〜17：40
2011年6月2日（木） 09：30〜17：40
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会場：
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東京・御茶ノ水 明神会館（神田明神境内） |
参加費：
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5万0,400円／1名（テキスト、食事・飲物付、消費税込み）
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○ 産業タイムズ社 事業部
FAX: 03-5835-5494 TEL: 03-5835-5894
E-mail: scnw@sangyo-times.co.jp
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