半導体産業新聞・事業部では、「フォーラム21」の名称で、半導体に関連するホットなテーマにフォーカスした、シンポジウム・セミナーなどの主催を次々と展開しているが、7月21日は、〜垂井康夫教授コーディネートによる〜「実用段階に入った強誘電体メモリ」をテーマにしたセミナーをグローバルネット(株)の協力により開催する。
「究極のメモリ」といわれる強誘電体メモリ（FeRAM）は、いよいよ実用化段階を迎え、その製品規格、製造技術に今多くの注目が集まっている。電子マネー時代を迎え、ICカードへの搭載需要は一気に本格化する見通しで、将来的にはパソコンをはじめとした最先端のエレクトロニクスの機器への搭載も期待されている。しかし、信頼性の確保、大容量化、高集積化へ向けては、さらにブレークスルーが必要であり、とりわけ量産体制の確立には各社とも水面下でしのぎを削っている。Y−1方式、PZT方式のいずれが主流となるのか、さらにDRAMに置き変わるだけの潜在的市場性があるのかなど様々な論議が沸騰している。
半導体産業新聞では、まさにホットポイントに入った強誘電体メモリの現状と展望をとらえるべく、多角的に検証する総合セミナー「実用段階に入った強誘電体メモリ」を7月21日（火）に開催する。製造技術、デバイス構造、さらに今後のアプリケーション、装置、材料から見た問題点など最新の技術、マーケティング動向を一気に展開する。コーディネーターは強誘電体メモリの第一人者、垂井康夫氏（早稲田大学客員）が担当、シンポジウム終了後は、最先端のエンジニアを交えての交流パーティーも予定されている。
プログラムは次のとおりで、10時から11時は、「強誘電体メモリの歴史的背景と展望」〜垂井康夫氏。11時から12時は、「強誘電体メモリの最新技術とその応用（製品化技術・材料技術）」〜ローム(株)取締役研究開発本部副本部長高須秀視氏。13時から14時は、「強誘電体メモリのプロセッサへの取り組み、強誘電体メモリの製品化と応用技術」〜松下電子工業(株)ICカードSBUサブリーダー大槻達男氏。14時から14時30分は、「製造装置から見た強誘電体メモリ」?エッチング技術〜日本ティーガル(株)（未定）。14時30分から15時は、同?CVD技術・スパッタ〜日本真空技術(株)（未定）。15時15分から16時15分は「高速RFスパッタによる強誘電体薄膜形成技術」〜NEC（予定）。16時15分から16時45分は「強誘電体メモリの市場予測と設備投資動向」〜半導体産業新聞編集長
泉谷 渉。17時から18時30分は懇親パーティーとなっている。
参加料は1名につき3万6750円（テキスト、懇親パーティー、昼食・飲み物付き、消費税込み）、会場はアルカディア私学会館・財団分室（東京・飯田橋）。フォーラム21イベントカレンダーより参加申し込みできます。
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