半導体産業新聞は、このほど国内半導体メーカー上位16社の98年度設備投資計画をまとめた。それによると前年比21.8％減の9127億円と4年ぶりに1兆円を割り込む。特に東芝、日立製作所、富士通、三菱電機の大手DRAMメーカーが大幅に設備投資を削減する。これまでのウエハー数量拡大の量産投資から、微細化に軸足を置いた「量」から「質」への転換の投資が主流となりそうだ。
　九七年度は、DRAM価格の下落による市況の悪化が影響し、大手メーカーを中心に中間期に設備投資を下方修正した。その結果、国内半導体メーカー上位の設備投資総額は、前年比8.1％減の1兆1672億円となった。大手DRAM5社（NEC、東芝、日立、富士通、三菱）でみると、同10％減の7353億円となった。
　98年度は、さらに下降し、前年比21.8％減の9127億円となる。DRAMメーカーをみると、NECだけが昨年水準をキープするものの、他の4社はいずれもマイナスとする計画で、5社トータルでは前年比26.5％減の5400億円と大幅に設備投資が削減する。
　今年度は64MDRAM本格量産の年となるが、新工場の建設や稼働といった動きはみられず、凍結したまま。今年度あたりから期待されていた300mmウエハー構築の足取りも鈍い。従来のようなウエハー数量拡大の投資から、現有能力をそのままに微細化を追求した投資に軸足を移すなど様変わりしているようだ。
　今年の傾向は、各社0.25〜0.2μmクラスをにらみ微細化を進め、チップの高速化やシュリンク版などの高付加価値をつけて市場において競争力をつける。同時にウエハー一枚からの取れ数を多くするなど効率化投資にシフトする。そして、DRAM専用ラインを見直し、システムLSIなどロジック系との混流生産が中心となりそうだ。
　銅配線など次世代技術を見越した0.18μmクラスの量産技術確立、0.15μmルールの開発へも各社力を入れている。システムLSI時代を迎えて、IP整備や設計・検証などの設計環境整備へも手を抜けなくなっている。
　昨年並みの1800億円とするNECもほぼこの方向だが、他社との違いは、微細化を進める工場の数が圧倒的に多い。また、0.18μm以降の強化、さらに300mmウエハーライン試作にも投資する。
　DRAM投資抑制、ロジック強化の一方で、フラッシュメモリーで国内トップを走る富士通は、これに呼応した投資には力を入れており、トップ死守を目指す。中位に位置する非DRAMグループも事業の中心がシステムLSIになりつつあり、0.25μm量産投資に加え、0.18μmの開発も開始する。シリコンファンドリーを推進していく動きも強い。
　サンケン、富士電機、新電元などディスクリート・パワー系半導体メーカーの投資は堅調といえる。整流素子やパワー系半導体が順調に伸びていることから、サンケン、新電元は新工場建設計画もあり、投資も前年水準以上をキープする。

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