(株)スーパーシリコン研究所（群馬県安中市中野谷555-1、Tel.027-384-0500）は、今春に次々世代製品の400mmウエハーを引き上げ、今秋からはいよいよ研磨加工やエピタキシャルウエハー成長などの評価段階に入る。予定どおり2000年度には総合評価が行えるめどがついた。既存技術の延長線上だけでなく、新たなプロセスとしてケミカル物質を採用しないエッチングレスの新技術を採用するほか、エピ成長でも低温処理を導入する。また、引き上げの段階でも従来とは異なる方法で、単結晶を引き上げる。既に国内160件、海外36件の特許も申請済みである。
　同研究所は3つの研究部門から成っているが、第一研究室では単結晶の引き上げを行っている。ここでのミッションは400mmで、重量400kg上の高品質単結晶を引き上げる。直胴部は120cm以上となる。こうした製品を引き上げるためには、従来の様な引き上げ方法ではなく、結晶保持機構を採用しなければならない。補助コーンを形成、これを支えるものが今後必要となる。クリスタル製でハサミの様なものになる。第1号の引き上げ機はドイツのライボルト社から輸入した。この装置でも高さは約13m、ホットゾーンも40インチはある。また超電導磁石（三菱電機製）を採用、3500ガウスの最大磁場強度を誇る。多結晶原料を入れる石英ルツボも40インチクラスを開発しなければならない。また大口径の黒鉛ルツボの開発課題も残っている。400kg以上の単結晶を引き上げる2号機については現在設計が行われており、これは同研究所独自開発のものが98年中には設置される予定だ。
　第二研究室では主に加工プロセスを担当している。ウエハー1枚の厚みは825μm、平坦度0.13μmを達成するのが課題。環境問題や加工プロセスの簡素化などの観点から、薬品などの使用を控えるエッチングレス時代となる。このため近く、反転式両面研削機を導入する。また、ドイツには5枚式両面研磨機の装置も発注しており、これは今年10月には導入される見通し。
　両面研磨機は歪みが生じないために必要なプロセスとなる。異物サイズは現在0.12μmだが、ターゲットは0.04μmとなっている。表面不純物濃度は10の8乗以下に抑制しなければならない。またこれまであったノッチも採用せず、方位はレーザーマークで行う。
　第三研究室ではエピタキシャル成長を行う。これまでは1100度〜1200度の高温処理を行ってきたが、400mm時代は1000度以下に下げる必要性がある。自重によるおう力発生を抑制するため必要になる。
　このため従来のSiHCl3に水素を加えた処理からSiH4（モノシラン）に水素を加えたプロセスを導入する。除害システムも乾式を採用する。エピ成長は2〜3μmまでに仕上げる。エピ装置も現在米国のムーア社から導入したものを使っているが、現在2号機の設計作業の準備をしており、99年秋には完成させ、検証テストを実施する。エピの測定室はクラス100のクリーンルーム環境下で行われている。
　同研究所の活動期間は96年度から2000年度にかけての5年間で、総額134億円を投じる。99年度から要素技術の改良から実証試験に突入する。2000年度で総合評価を行う。現状では予定どおりできている。

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