米国IBM社とSST（Silicon Storage Technology）社の両社は業務提携を発表、IBM社はSST社のスーパーフラッシュメモリー技術のライセンス供与を受ける。このSSTスーパーフラッシュ技術により、IBM社はより低コストで高付加価値のメモリー／ロジックチップを作ることができ、システムLSIの動きに拍車をかける。
　今回の業務提携の背景として、IBM社は数ある不揮発性メモリーの中から急速に発展しているSSTのスーパーフラッシュメモリーの技術を最適と判断して選択した。SST社の技術により、より多くの情報を書き込むことができ、信頼性の高いシステムLSIが可能になる。
　具体的内容としては、SST社およびIBM社は、IBM社の0.18μmおよびそれ以下のファウンドリー施設を使うことになるが、IBM社は広範な自社のASIC設計開発および製造にもSST社の技術を使用すると考えられる。
　SST日本支社の見解としては、今回の提携によりSST社の技術が業界で客観的に評価され、同社技術のスケーラビリティー（上位拡張可能性）および長期的競争力が証明されたことになる。既存の他社フラッシュ技術では0.15μm以下にシュリンクするとさまざまな技術的な問題が想定されるが、同社のスーパーフラッシュ技術は独自のスプリットゲートアーキテクチャーによりすべてを解消できる。
　現在のSST社の技術計画ロードマップによると、0.33、0.26、0.18、0.15μm技術を向こう5年間で順番に技術導入していく予定。それぞれ99年、2000年、2001年、2002年の順で予定している。現在は主に、TSMC社の0.5μmが稼働中であるが、SSTはすでに他の複数のファンドリーで0.45、0.33、0.26μmの技術を立ち上げ中。今回のIBM社との提携により、0.18μmが現実のプランとなった。
　SST社は同一シリコン上により多くの機能を搭載するべく半導体業界の流れにコミットしている。SST社にとって技術ライセンス供与はビジネス戦略上すでに重要な柱となっている。SST社の目的は組み込みアプリケーション向けの最良の選択としてスーパーフラッシュを使ってもらうことにある。過去においてCMOSロジック上に不揮発性メモリーを搭載することは難関であったがSSTのスーパーフラッシュ技術はこの長年の業界の課題を解消する。

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