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日本半導体、欧米撤退相次ぐ
日立、三菱、松下が米国生産中止／富士通は英国工場閉鎖
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日本の大手半導体企業は相次いで、米国や欧州の前工程工場を閉鎖、撤退に追い込まれている。日立製作所、三菱電機、松下電子工業が米国のウエハー工場を、富士通は英国のウエハー工場を閉鎖する。どん底となった半導体事業のリストラを、各社並んで海外から手をつけ始めた。
半導体産業は96年から生産過剰によってDRAM価格が急落、97年にはPCの売れ行きが世界で低迷、98年にはメモリーに連動してロジック市況も悪化し、さらに日本企業には国内経済低落が追い打ちをかけ、複合的なダメージが重なったといえる。
日立製作所は98年初頭に米国企業とのDRAMでの合弁「ツインスターセミコンダクタ」（テキサス州）から手を引き、その後9月には16ビットMCUなどを製造する自社工場（テキサス州）の閉鎖を決めた。ドイツ工場では、DRAM生産を打ち切り、マイコンに特化した。
三菱電機はノースカロライナ州で、4MDRAM製造の前工程を3月に閉鎖、続いて11月までに64MDRAMを予定していた後工程も閉鎖を決定、米国生産から退却する。ドイツ工場では、後工程製造を停止して、前工程ではDRAM以外にSRAMを始めた。
松下電子工業はワシントン州ピュアラップ市の工場でDRAM、ロジックを生産、0.25μm建設による64MDRAM計生産画を具体化したが撤回、98年末までの操業停止を余儀なくされ、従業員（約340人）に通告した。
富士通は英国ダーラム州で16M／4MDRAMを製造し、やがて256M／64M以降の二期棟建設の計画もあったが、実現を見ないまま12月に閉鎖することにした。逆に米国工場（オレゴン州）では98年度に0.22μm化、99年度に0.20μm化投資を予定している。
沖電気工業は米国オレゴン州で、4M、64MDRAMの後工程を行っていたが、9月末に閉鎖する。
国内と海外の生産が半分ずつを理想としているNECだけが、一人欧米で踏ん張っている。米国ローズビル（カリフォルニア州）と英国スコットランド工場で0.25μm化を進め、ローズビルでは300mmウエハー新工場を、2002年に稼働させる計画もある。
東芝はIBMとの合弁工場（米国バージニア州）を、0.25μmへ微細化する。
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