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三菱電機と日立製作所、256MビットAND型フラッシュメモリーを共同開発
多値技術採用で128Mセルの2倍の容量を実現
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三菱電機（株）（東京都千代田区丸の内2-2-3、Tel.03-3218-2111）は、多値技術を採用した256MビットAND型フラッシュメモリーを、日立製作所と共同開発した。同製品は、二チップで一時間の録音・再生（CD音質レベル）に必要な64MBの実現が可能で、大容量ストレージメディアやハードディスク（HDD）置き換え用途向けに最適。
近年、フラッシュカードは、デジタルカメラなどの各種情報機器への大容量ストレージメディアとして急速に用途が広がっており、コンパクトフラッシュやPC−ATAカード需要が拡大している。一方、フラッシュメモリーの急速な大容量化による本格的なHDD置き換え用途需要も立ち上がりつつあり、数10MBから数100MBの容量帯で置き換えが進行している。
今回開発した製品では、1セルに1ビット情報を記憶させる従来の方式に代わり、1セルに2ビット情報を記憶させる多値技術を採用している。多値技術は、チップサイズの縮小に有効な大容量フラッシュメモリーに適しており、通常のメモリーの“0”“1”に対し、“00”“01”“10”“11”の四つのしきい値レベルを持たせることで、1セルで2セル分の働きを可能としている。これにより、実際のメモリーセル数の2倍の容量を持つこととなり、128セルで256Mビットのフラッシュメモリー実現に至った。
今後、同製品を用いた大容量フラッシュカードなどの応用製品展開を行い、99年初めに製品化する計画である。
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