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電子機器関連の平成11年度予算概算要求／電子SI、次世代強誘電体メモリ、PFC等代替エッチングガスなどが新規
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通産省が去る8月末に提出した来年度予算概算要求のうち、電子機器関連の主要な項目は以下のとおりである。
今回は、特に科学技術関係費枠は5％増が認められる中で、超高密度電子SI技術の研究開発、省エネ電子デバイス・プロセス技術開発など新規要求項目が多いのが目立つ。分類は、一般会計、特別会計、ODA等に分かれているが、通覧すると、要求テーマおよび要求額（カッコ内の金額は10年度予算）は以下のとおり。
▽フェムト秒テクノロジーの開発＝17億8800万円（17億8100万円）膨大な情報量を極超高速で伝送可能とする超高速光エレクトロニクス技術の研究開発
▽超高度先端電子技術開発＝45億9300万円（46億7900万円）超高速情報処理、超大容量情報記録等に不可欠な超高度微細加工技術等の技術開発
▽ベンチャー・中小企業のシステムLSI開発の支援事業＝5億7000万円（3億3000万円）ベンチャー・中小企業によるシステムLSIの設計・試作・評価に対する支援
▽超高密度電子SI技術の研究開発＝10億4300万円（新規）電子デバイスの三次元集積、電子光情報機器システムの構築を目指す電子システムインテグレーション（SI）技術の開発
▽次世代強誘電体メモリ＝4億7100万円（新規）高速化、低消費電力化を可能とする新たな不揮発性書き換え可能型メモリ技術の研究開発
▽省エネ電子デバイス・プロセス技術開発＝2億円（新規）電子デバイスの生産工程において消費するエネルギーの省エネを実現するためのプロセス技術の要素技術のFS調査
▽PFC等代替エッチングガス・プロセスの研究開発＝15億5000万円（新規）電子デバイス製造プロセスで使用するエッチングガスの代替ガス・システムおよび代替プロセスの研究開発
▽ナノメータ制御光ディスクシステム＝12億600万円（12億400万円）大容量情報記録を可能とする新たな光ディスクメモリの実用化技術の研究開発
▽原子分子極限操作技術の研究開発＝25億5100万円（25億8900万円）新素材、バイオ等様々な分野に共通的な原子・分子レベルの観察・操作技術の研究開発
▽量子化機能素子の開発＝7億5700万円（8億2900万円）微小機械システムへの組み込み可能な高性能電子回路用極微小素子の研究開発
▽汎用光ディスクファイルシステムの国際標準化に係る研究開発＝7億1600万円の内数（6億5000万円の内数）大規模記録媒体である光ディスクシステムについて蓄積データの互換性を確保するための研究開発
▽情報家電の相互接続性に関する研究開発＝7億1600万円の内数（6億5000万円の内数）家庭内に情報・通信・家電を融合したシームレスなネットワークを構築するための技術開発
▽超低電力情報端末用LSIの研究開発＝4億2000万円（4億1000万円）極低電圧で高速動作可能な情報端末用LSIを実現するための技術開発
▽Cat-CVD法による半導体デバイス製造プロセス＝4億2100万円（4億2100万円）高品質な半導体をエネルギー効率よく製造する新たな半導体デバイス製造プロセスの技術開発
▽先進的マルチメディア情報システムの開発に関する研究協力＝マルチメディア技術を用いた先進的な情報システムの開発に関する研究協力
▽省エネ型超先端液晶技術の開発＝22億円（24億円）現行の10分の1以下の消費電力で作動する反射型液晶ディスプレイの技術開発
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