韓国の現代電子（ソウル市鍾路区桂洞140-1、Tel.02-746-8211　代表：Kim young hwan）が画期的な256MDRAM以上の次世代メモリー素子製造のためのタンタル膜の蒸着技術を開発した。同社は、次世代メモリー素子製造における核心技術として評価されているタンタル膜のチップキャパシタ工程技術開発に成功したと、去る9月初頭発表。今後ギガ級以上の次世代メモリー製品量産の勝敗を分けることと予想している、このタンタル膜のチップキャパシタ工程技術を、世界大手半導体メーカーより先行して開発。これで同社は次世代半導体の早期量産を通じた、市場先占の橋頭堡が構築できたと評価されている。とりわけ、この工程に採用されるLPCVDを、韓国内の装置専門メーカーであるアペックス社（APEX：韓国忠清北道清原郡Namyi-myun chuckbuk-ri128、Tel.0431-60-2000　代表：Kim sang ho）と共同で国産化に成功。年間約1億2000万ドル規模の装置投資費用が節減できるという。それにこの技術はメモリーチップ内部のセルに高誘電体であるタンタル膜を蒸着させる工程技術で、既存使用していた工程が代替できる次世代先端技術である。またこの工程技術を採択する場合、チップサイズを大幅に減らせる。しかも、製造工程の段階においても40％ほど短縮でき、低コストおよび生産性向上にも期待できると思われる。

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