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| 2001年12月19日 水曜日 | |||
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 InGaP-HBTが本格化 2002年は量産元年に 3G携帯電話用パワーアンプに日本メーカーが続々参入へ 注目される最大手RFMDの動向 携帯電話が第三世代への本格的な突入を目の前にして、パワーアンプトランジスタモジュール（以下PA）が大きな変革の時を迎えようとしている。携帯電話市場は停滞しているが、第三世代サービスが本格始動することにより、日本のデバイスメーカーも第三世代用のPAとなるHBT（ヘテロバイポーラ型トランジスタ）タイプのPA生産に乗り出す。とりわけ、GaAsベースAlGaP系HBTからInGaP系HBTへのシフトが見込まれており、2002年は量産元年となりそうだ。第三世代において世界統一化された携帯電話仕様に伴い、PAは地域限定から、グローバルでの戦いになってきた。 |
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