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| 2003年12月17日 水曜日 | |||
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 ブレイク目前のSiC基板 パワー・RFデバイス用基板として高いポテンシャル 市場規模は年産20万枚強 進む大口径化、4インチの声も 次世代の半導体用基板として、SiC（炭化シリコン）基板の注目度が高まっている。バンドギャップや電子飽和速度、熱伝導率がシリコンやGaAs基板よりも高く、また高品質なエピタキシャル基板が作製できるなどの優れた特性を有するため、青色・白色LED用の窒化ガリウム（GaN）デバイスの基板や、パワーMOSFET、ショットキバリアダイオードなどのパワー半導体、マイクロ波送信デバイスなどで威力を発揮するポテンシャルがある。すでにGaNデバイスの基板として実用化が進められているが、今後はパワー・RF用途でも急速に需要が拡大していくと予測されている。 |
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