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| 2004年6月16日 水曜日 | |||
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 CMP技術、90nm以降対応で新規参入相次ぐ 大型市場狙い、製品投入加速 65nm対応の評価・選定も本格化 半導体プロセスが90nm世代以降の領域に突入しつつあるなかで、新たなプロセス技術、新材料導入が進められようとしている。半導体ウエハープロセスの主要技術であるCMP（化学的機械研磨）技術も様々な技術革新の波にさらされている。一方でこうした技術革新は、市場の門戸を広げ、多くの企業に参入の機会を与えている。CMP装置や材料市場の多くは1〜2社によって市場が形成されているが、新規参入各社は難易度の高い次世代技術と共存する大型市場を狙っており、次世代製品の開発、投入が加速している。 CMP技術は、90年代前半から半導体ウエハー工程に導入され、酸化膜などの層間絶縁膜に始まり、ポリシリコン電極、導通用のタングステン（W）プラグ、STI（素子分離）へと広がった。デバイスの高性能化と共に導入の進んだ銅（Cu）配線プロセス技術では、もはやキーテクノロジーの一つに数えられる。 90nm以降、CMPに突きつけられている代表的な課題として、Cu／Low-k（低誘電率層間絶縁膜）が挙げられる。デバイスの微細化に伴い、チップの配線抵抗や寄生容量により信号伝達速度の遅延を防ぐ必要があるため、層間絶縁膜絶縁膜のLow-k化必須になる。 Low-kは誘電率を下げるために、カーボンの添加や65nm以降では空孔（ポーラス）を設ける手法となるが、これにより、膜の機械的強度は一気に低下する。CMPプロセスは、圧力をかけながら研磨していくため、脆弱なLow-K材料を層間絶縁膜に用いると、膜と膜の界面からの剥がれが問題となる。 |
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