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| 2006年3月1日 水曜日 | |||
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 東芝とNEC 世界最速・最大容量MRAM開発 携帯機器向けなどに有効 チップサイズ78.7平方ミリを実現 東芝とNECは、世界最高速の1秒あたり200MBの読み書き速度と世界最大容量の16Mビットを両立し、さらに1.8Vの低電圧動作を実現したMRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）を共同で開発した、と発表した。 従来のMRAMでは、書き込み用の磁場を起こす電流駆動回路が周辺のセルの読み出し動作に電気的な悪影響をおよぼし、高速化しにくいという課題があった。今回開発したMRAMは、読み出しと書き込みの経路を分離できる配線構成に改良して高速化を実現すると同時に、この配線構成を生かし、書き込み電流を部分的に分岐させて配線の電気抵抗を約38％低減した。これにより、データ転送速度（バンド幅）が1秒あたり200MB、動作速度が34ナノ秒と、いずれも16MビットMRAMとして世界最高速処理に加え、携帯機器での使用に適した1.8Vの低電圧動作を実現した。 さらに、配線構成の改良に加えて全般的な設計の最適化を行った結果、従来方法で製造した場合に比べてチップサイズを約30％削減し、世界最小の78.7平方ミリを実現した。 なお、今回のMRAM開発は、NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の助成により、東芝とNECが共同で行ったもの。 今回開発したMRAMの主な仕様は、0.13μm CMOSプロセスと0.24μm MRAMプロセスを組み合わせた。セルサイズは1.872平方μm。  |
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