  |
 |
||
| 2006年5月17日 水曜日 | |||
 |
|
||
               |
|
 ポストDRAM／フラッシュ、次世代メモリー開発が活発 強誘電体メモリー、MRAM、OUMなどがリード 既存技術を採用したNVRAM、OTP／MTPも有力 DRAMやフラッシュメモリーなど現在主力のメモリーデバイスでは、単体・混載も含めて将来、微細化や高集積化への対応がますます困難になる。加えて、増大するマスクコストを低減する必要もある。その対策として、次世代メモリー技術の開発が急ピッチで進められている。強誘電体メモリー（FRAM／FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）、MRAM（Magnetic Random Access Memory）、OUM（Ovonix Unified Memory）、ナノクリスタルなどの様々なメモリーが提案され、一部本格的な量産も始まっている。今後、どのメモリーが主役の座を勝ち取るのか、熱い視線が投げかけられている。  |
|
|
© Copyright 2006 Sangyo Times, Inc. All Rights Reserved |
|||