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| 2007年12月26日 水曜日 | |||
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 08年半導体投資は二極化 台湾メモリーは慎重姿勢に ロジックはインテル除き、削減傾向 先端NAND／DRAM／MPUが牽引 半導体産業新聞では、日本ならびに世界における有力半導体メーカーの2008年（国内は08年度）の設備投資動向をまとめた。それによると国内メーカーは、メモリー陣営を中心に前期並みの高水準の投資を継続するが、一部のロジック企業で大幅削減に踏み切る見通しだ。一方、海外はサムスン電子、TSMCなどが二割前後の大幅なカットを検討している。また、懸念されていたメモリーの一部で08年は大幅に投資を減額するところも出てきており、08年のDRAM市況の早期改善につながる可能性が出てきた。TIやSTマイクロエレクトロニクスといった欧米系のメジャーIDMでも32nmクラスの単独による次世代半導体開発を見送るなど、年間で3000億円以上といった巨額投資を継続する企業が限定されてきている現状がみてとれる。 ◆日系企業、メモリー勢は積極果敢、ロジック勢は慎重 国内勢で気を吐いているのが東芝とエルピーダである。東芝は、08年も高水準の投資を継続する。07年秋に竣工したNAND型フラッシュメモリーの増産投資がメーンになるが、一方で、加賀東芝エレクトロニクスでのパワーエレクトロニクスの新クリーンルームでの増産、高性能マイクロプロセッサー「セル」の300mmライン（ソニーグループの長崎テクノロジーセンターから買収することを内定）といった全方位に向けた半導体投資を加速する。また、NAND対応ファブ5の進出地決定も大きなポイントになってこよう。同工場は09年度後半から10年度以降にかけての需要を睨んでいる。 エルピーダは、07年度並みの高水準の投資を継続する可能性が高い。同社は07年で広島工場のラインを月産2万2000枚増強、市況次第だが早ければ08年中にもさらに3万枚上乗せして、最大の13万枚体制への引き上げを検討している。また、65nmならびに50nmプロセスへの微細化も加速するため、投資は今のところ抑制する気配はない。 こうしたメモリー陣営とは対照的なのが国内ロジック勢である。ソニーは、07〜09年度の3年間（ちなみに04〜06年度で4400億円）の投資を大幅に減らす計画で、08年度からその影響が出ると見ている。富士通も07年度は1000億円で据え置いているが、08年度は抑制する可能性が高まっている。最先端ラインを所有する三重工場の300mm第二棟には、65nm量産用など500億円以上を投入する計画だが、現在は基盤商品向けの受注が低迷しているため、関連分野向けを絞り込むとみられるからだ。 |
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