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| 2008年8月20日 水曜日 | |||
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 日本半導体37社設備投資 08年度は1兆円強へ減少 07年度は5％減の約1.2兆円 2年連続減少はITバブル崩壊以来 半導体産業新聞は、日本半導体メーカー37社の2007年度設備投資実績および08年度計画をまとめた。これによると、07年度実績は前年度比約5％減の1兆2000億円となった。前年度実績を割ったのは02年度以来5年ぶり。08年度はさらに投資が抑制され、合計額は1兆円強にとどまる見通しだ。 07年度の合計額は、前年度比4.8％減の1兆2269億円となった。東芝とエルピーダメモリのメモリー2社が合計額の53％を占める「メモリー頼み」の1年で、ロジック勢は総じて前年度より投資額を抑制した。数年前は「オリンピックイヤーの08年度に投資が盛り上がる」との予測が盛んになされたが、メモリー投資の世界的な過熱により、結果的に06／07年度に投資が前倒しで実行された感がある。 08年度の投資額を前年度より引き下げる予定のメーカーは現時点で13社しかない。しかし、東芝・エルピーダのメモリー勢や分社化初年度の富士通マイクロエレクトロニクスらの減額幅が大きく、07年度実績を20％近く下回る見通し。2年連続で投資額が前年割れとなるのはITバブル崩壊直後の01／02年度以来で、20％近い減額は02年度に記録した23.2％減（投資合計額は5150億円）に次ぐ規模だ。 現在のところ、30nm以下にプロセスを微細化する意向を明らかにしているのは東芝、エルピーダ、松下の3社のみ。よって国内の半導体設備投資額は、メモリー勢の投資動向に左右される傾向が今後一層強まる。そのほかに投資額の上積みが期待されるタイミングとして「450mmウエハーの採用」「新型メモリーの実用化」などが考えられるが、これらが2〜3年内に実現する可能性は低く、投資の安定的な拡大は期待しづらい状況にある。 こうした状況下にあって、パワーデバイスへの旺盛な投資意欲が目を引く。三菱電機がルネサス熊本工場8インチラインを110億円で買収したほか、富士電機デバイステクノロジーはマレーシアにIGBT 6インチラインの設置を決定。オリジン電気も間々田工場（栃木県小山市）でパワーダイオードのウエハーライン増設に踏み切った。省エネの実現に不可欠なパワーデバイスは、産業用や自動車向けに今後も需要拡大が確実視されている。 また、ブルーレイディスクへの規格統一、FTTHの普及などで需要増が期待できる短／長波長の半導体レーザー、バックライトや一般照明への採用が拡大期に入ったLEDなどへの投資意欲も旺盛。いずれも先端CMOSラインほど巨額を必要としないが、国内メーカーのプロセス優位性を発揮できる分野として今後も期待が持てる。 |
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