2010年7月14日 水曜日
			SiC/GaN、次世代パワー半導体 第2段階へ 　ローム筆頭に国内勢も量産開始 　MOSが市場急拡大の起爆剤に 　SiCやGaNを用いた次世代パワーデバイスは第2ステージへ突入した。SiCではSBD（ショットキーバリアダイオード）の開発をおおむね終え、各社は2010年度、11年度中の量産を続々と表明した。ユーザーの要求価格ともそれほどの乖離はなく、徐々に市場に浸透していくものと思われる。今後の焦点は、スイッチングデバイスとなるMOSFETをいかに物にして歩留まり良く生産するかに移行しつつある。さらにもう1つの有力候補であるGaNもSiCにはない特徴を打ち出しながら、その勢力を増している。 　インフィニオンやクリーに次ぐSiCデバイス量産メーカーがなかなか現れないなか、ついにロームが量産開始のアナウンスを行った。4月下旬から福岡のローム・アポロデバイスでSBDの量産を開始しており、ラインアップを順次MOSFETやモジュールに拡大させていく考えだ。 　ロームの後を追うように、国内勢は続々とSBDの量産をアナウンスしている。新日本無線は10年度中に、三菱電機、富士電機、新電元工業も11年度中の量産を予定している。一方の海外勢もインフィニオンやクリーなどの先行メーカーに加え、STマイクロも量産をすでに行っており、SBDに関しては開発から量産へと競争の舞台が完全に移った。アプリケーションに関しては、まずはサーバー用電源、パワーコンディショナー向けを想定している。問題のデバイス価格についても、600V耐圧品で200〜300円と以前に比べて随分と安くなっており、Siとの価格差も徐々に埋まりつつある。 トップページに戻る
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