2011年12月7日 水曜日
			国内半導体・FPD工場 ライン転換が投資の主役に 　既存工場改修で新デバイス量産 　裏面センサーやIGZOが先鞭 　裏面照射型イメージセンサー、酸化物TFTパネル、SiCやGaNを用いたパワーデバイス。こうした新デバイスは、いずれも既存の工場やラインをリニューアルしながら生産能力を確保しつつある製品だ。2012年には本格量産の開始が見込まれている。既存工場・ラインへの転換投資が、国内デバイスメーカーの設備投資計画を牽引するトレンドになりそうだ。 　「Fab3の残り半分にラインを実装できれば、2〜3年以内にイメージセンサーの月産能力を現有の5万枚から7.5万枚に高めることができる」。長崎テックFab4の開所式のあと会見に臨んだソニー半導体事業本部長の斉藤端氏は、裏面センサーの増産計画をこう披露した。 　ソニーは裏面センサー増産に向け、かつて6インチラインがあった長崎テックFab4に300mm裏面工程を実装し、11月に本格稼働させた。いまやスマートフォンに不可欠なデバイスとなった同社の裏面センサーは、12年に生産予定の製品までほぼソールドアウトの状況という。さらに需要が広がるようであれば、長崎テックFab2の200mmラインを300mm化することも検討する構えだ。 　12年から国内各社が本格量産を開始する予定のSiC＆GaNパワーデバイスは、既存の6インチ、8インチラインに一部の新規装置を導入すれば、既存のシリコンラインを転用して量産できる。SiCは、高品質な6インチウエハーの安定供給が量産の前提条件になるが、パワーデバイス市場における現在の日本勢のシェアは高く、優位にある。 トップページに戻る
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